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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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WNM3053:小型封裝中的高性能功率轉(zhuǎn)換

型號(hào): WNM3053

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 產(chǎn)品系列 WNM3053
  • 產(chǎn)品類型 晶體管
  • 品牌 WILLSEMI/OmniVision

--- 產(chǎn)品詳情 ---

WNM3053

型號(hào)簡(jiǎn)介
       WNM3053WILLSEMI/OmniVision推出的一款N-Channel 增強(qiáng)型 MOSFET。它采用了先進(jìn)的 trench 技術(shù)和設(shè)計(jì),提供極低的 ON 電阻和低門控電荷,非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。這款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品 WNM3053 是無鉛的,符合環(huán)保要求。

 

型號(hào)規(guī)格

  • 品牌:WILLSEMI/OmniVision
  • 型號(hào):WNM3053
  • 名稱:晶體管
  • 封裝:SOP-8L

 

型號(hào)特點(diǎn)

  • 漏源電壓 (VDS): 30V
  • 柵源電壓 (VGS): ±20V
  • 連續(xù)漏極電流 (ID): 14.5A (25°C), 11.5A (70°C)
  • 脈沖漏極電流 (IDM): 60A
  • 最大功耗 (PD): 3.1W (25°C), 2.0W (70°C)
  • 工作結(jié)溫 (TJ): -55°C 至 150°C
  • 輸入電容 (CISS): 1250pF
  • 輸出電容 (COSS): 180pF
  • 反向傳輸電容 (CRSS): 144pF
  • 柵極電阻 (Rg): 1.8Ω
  • 總柵極電荷 (QG(TOT)): 26.5nC

 

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