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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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WPM3020增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管

型號(hào): WPM3020

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 產(chǎn)品系列 WPM3020
  • 產(chǎn)品類型 晶體管
  • 品牌 WILLSEMI/OmniVision

--- 產(chǎn)品詳情 ---

WPM2026

型號(hào)簡介
       WPM2026WILLSEMI/OmniVision推出的一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)的P-Channel功率MOSFET,具備低柵極電荷和優(yōu)秀的RDS(ON)特性。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM2301是無鉛的。它適用于鋰離子電池充電、高邊DC-DC轉(zhuǎn)換電路、小型無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)以及便攜式、電池供電產(chǎn)品的電源管理。

 

型號(hào)規(guī)格

  • 品牌:WILLSEMI/OmniVision
  • 型號(hào):WPM2026
  • 名稱:晶體管
  • 封裝:SOT 23

 

型號(hào)特點(diǎn)

  • 漏源電壓:-20V
  • 柵極電壓:-8V
  • 連續(xù)漏極電流(TA=25°C):-2.7A
  • 最大功率耗散(TA=70°C):1.7W
  • 柵極閾值電壓:-0.4至-0.8V
  • 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻:90至150mΩ
  • 總柵極電荷:4nC
  • 柵極源電荷:0.5nC
  • 柵極漏電荷:1nC

 

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