--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AON7422E-VB 是一款單 N-通道 MOSFET,采用槽道結(jié)構(gòu)技術(shù)(Trench),封裝在 DFN8(3X3) 中。它具有低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和優(yōu)秀的電壓控制特性,適用于需要高效能和可靠性的功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。
### 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)
- **型號(hào)**:AON7422E-VB
- **封裝類型**:DFN8(3X3)
- **配置**:單 N-通道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.9mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:60A
- **技術(shù)**:槽道結(jié)構(gòu)(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電動(dòng)車輛**
- **領(lǐng)域**:電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車。
- **應(yīng)用**:AON7422E-VB 可用于電動(dòng)車輛中的電機(jī)控制單元和電池管理系統(tǒng),作為電源逆變器和電池充放電控制模塊的關(guān)鍵組件,提供高效率和可靠性。
2. **工業(yè)電源**
- **領(lǐng)域**:工業(yè)控制和電源設(shè)備。
- **應(yīng)用**:在工業(yè)電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源管理單元中,該 MOSFET 可用于提高系統(tǒng)效率和響應(yīng)速度,確保設(shè)備在高負(fù)載和變化電壓條件下的穩(wěn)定性能。
3. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心**
- **領(lǐng)域**:信息技術(shù)和數(shù)據(jù)處理設(shè)備。
- **應(yīng)用**:用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的功率開關(guān)和電源管理解決方案,支持大規(guī)模數(shù)據(jù)處理和云計(jì)算應(yīng)用的高效能運(yùn)行。
4. **消費(fèi)電子**
- **領(lǐng)域**:消費(fèi)類電子產(chǎn)品。
- **應(yīng)用**:在高性能電源適配器、便攜式電子設(shè)備和智能家居系統(tǒng)中,AON7422E-VB 可提供高效的功率轉(zhuǎn)換和電池管理功能,延長設(shè)備使用時(shí)間和提升性能。
AON7422E-VB 通過其優(yōu)越的導(dǎo)通特性和高電流處理能力,適用于多種要求高效率和高可靠性的功率電子應(yīng)用,為各類電子設(shè)備和系統(tǒng)提供了可靠的電源管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛