--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X3)-B
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP4527GN3-VB 是一款雙N+P溝道MOSFET,采用DFN8(3X3)-B封裝。該器件適用于需要同時(shí)控制正負(fù)電壓的電路設(shè)計(jì),具有優(yōu)良的導(dǎo)通特性和高效的功率轉(zhuǎn)換能力。
### 二、詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**:AP4527GN3-VB
- **封裝**:DFN8(3X3)-B
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:20(±V)
- **閾值電壓 (Vth)**:
- N溝道:1.6V
- P溝道:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- N溝道:
- 17mΩ @ VGS=4.5V
- 13mΩ @ VGS=10V
- P溝道:
- 45mΩ @ VGS=4.5V
- 40mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:
- 最大值:8A (N溝道), -6A (P溝道)
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
AP4527GN3-VB 可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和電子模塊中:
1. **電源管理和電池保護(hù)**:
- **雙極性電源控制**:用于電池管理系統(tǒng)和功率轉(zhuǎn)換電路,支持高效的能量轉(zhuǎn)換和電池保護(hù)功能。
- **充電器和逆變器**:在各類(lèi)電子設(shè)備中,如移動(dòng)充電器、電動(dòng)工具和UPS系統(tǒng)中,確保穩(wěn)定的電力輸出和高效能轉(zhuǎn)換。
2. **汽車(chē)電子系統(tǒng)**:
- **汽車(chē)電源管理**:用于汽車(chē)電子控制單元(ECU)、電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),提供高效的電動(dòng)機(jī)控制和能量管理。
3. **工業(yè)自動(dòng)化**:
- **工業(yè)機(jī)器人**:在自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)和機(jī)器人控制系統(tǒng)中,實(shí)現(xiàn)精確的動(dòng)態(tài)電路控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng),提高生產(chǎn)效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
通過(guò)以上示例,展示了AP4527GN3-VB 在需要高效能轉(zhuǎn)換、動(dòng)態(tài)電路控制和同時(shí)操作正負(fù)電壓的復(fù)雜電子系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用潛力。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛