--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AP6679GS-HF-VB 是一款單通道P溝道MOSFET,采用TO263封裝。它設(shè)計用于中功率應(yīng)用場合,采用先進的溝槽技術(shù),提供高效的能源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的性能。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO263
- **配置**:單通道P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:-30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:-75A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
AP6679GS-HF-VB 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:
1. **電源管理**:適用于中功率電源管理模塊,如開關(guān)穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力,能夠有效提升能源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
2. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中的功率管理和驅(qū)動控制,如電動車輛的電池管理系統(tǒng)和電動驅(qū)動控制器中,AP6679GS-HF-VB 可以用于功率開關(guān)和電流控制,確保系統(tǒng)的高效率和動態(tài)響應(yīng)。
3. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,如電機驅(qū)動、UPS系統(tǒng)(不間斷電源)和工業(yè)逆變器中,AP6679GS-HF-VB 可以用作高功率開關(guān)和電源控制部件,提供可靠的電力管理和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
4. **航空航天**:在需要輕量化和高功率密度的航空航天電子系統(tǒng)中,AP6679GS-HF-VB 可以應(yīng)用于電源管理和控制系統(tǒng),確保航空航天設(shè)備的可靠性和性能。
通過這些應(yīng)用示例,可以看出AP6679GS-HF-VB 在中功率應(yīng)用中的優(yōu)異性能和多功能性,適用于多種高要求的電子設(shè)備和系統(tǒng),為各種應(yīng)用提供可靠的功率管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12