--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP9468GP-HF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP9468GP-HF-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于廣泛的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。利用先進(jìn)的Trench技術(shù),AP9468GP-HF-VB能夠提供優(yōu)異的功率效率和可靠性。
### AP9468GP-HF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:40V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 7mΩ @ VGS=4.5V
- 6mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:110A
- **技術(shù)類型**:Trench

### AP9468GP-HF-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電動(dòng)工具和電動(dòng)車**:AP9468GP-HF-VB適用于電動(dòng)工具和電動(dòng)車的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),能夠承載高電流并提供低損耗的電動(dòng)控制,支持高效能和節(jié)能的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)。
2. **電源管理和逆變器**:在電源管理和逆變器應(yīng)用中,該MOSFET可以用于高功率密度的轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,保證高效能和穩(wěn)定的電源輸出。
3. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,AP9468GP-HF-VB可用于高速開關(guān)和大電流傳輸,如電機(jī)控制和工業(yè)電源系統(tǒng),確保設(shè)備的可靠運(yùn)行和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可用于充電和放電控制,保護(hù)電池免受過載和過熱,提升電池壽命和安全性。
通過采用AP9468GP-HF-VB,設(shè)計(jì)工程師可以實(shí)現(xiàn)高性能、高效能的電源管理和負(fù)載控制解決方案,適用于各種工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備,滿足市場(chǎng)對(duì)節(jié)能和可靠性的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛