### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

B1100L-VB 是一款高性能單極 N 通道 MOSFET，封裝為 TO263。該 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，具有 100V 的漏極源極電壓（VDS）和 100A 的連續(xù)漏極電流（ID）。其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 23mΩ，在 VGS 為 10V 時(shí)為 10mΩ，提供良好的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗。閾值電壓（Vth）為 2.5V，VGS 范圍為 ±20V，確保廣泛應(yīng)用的穩(wěn)定性和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: B1100L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 23mΩ @ VGS = 4.5V
 - 10mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

B1100L-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊：

1. **高電壓電源管理**: 在高電壓電源轉(zhuǎn)換器中使用，以提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能和高效的電源管理。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**: 用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，作為高電流開(kāi)關(guān)，控制電機(jī)的啟停和運(yùn)行。
3. **電源保護(hù)**: 在電源保護(hù)電路中應(yīng)用，確保電流過(guò)載時(shí)的保護(hù)和斷開(kāi)。
4. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為開(kāi)關(guān)組件，提升轉(zhuǎn)換效率并減少能量損耗。