--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
B442-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。其封裝為TO263,適用于各種大電流和高功率應(yīng)用場(chǎng)合。該器件具有較低的開啟電壓和優(yōu)異的開關(guān)性能,能夠在較低的柵極電壓下實(shí)現(xiàn)高效工作,是高效電源管理、開關(guān)電源和電動(dòng)機(jī)控制等應(yīng)用的理想選擇。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO263
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:150A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理模塊**:
B442-VB適用于高效電源管理模塊,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC適配器。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在電源轉(zhuǎn)換中具有優(yōu)異的效率和可靠性。
2. **開關(guān)電源**:
在開關(guān)電源應(yīng)用中,B442-VB能夠通過快速的開關(guān)特性和低損耗實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換,適用于服務(wù)器電源、通信設(shè)備和工業(yè)電源等場(chǎng)合。
3. **電動(dòng)機(jī)控制**:
該MOSFET的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在需要高功率處理的電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和工業(yè)電機(jī)控制中。
4. **汽車電子**:
B442-VB在汽車電子中也有廣泛應(yīng)用,如汽車電源管理系統(tǒng)、電子控制單元(ECU)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)等,能夠提供穩(wěn)定高效的功率管理。
5. **工業(yè)自動(dòng)化**:
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,B442-VB適用于各種需要高電流和高可靠性的應(yīng)用,如PLC控制器、電磁閥控制和大型工業(yè)設(shè)備的電源管理。
通過以上描述,可以看出B442-VB MOSFET因其優(yōu)異的電氣性能和可靠的封裝設(shè)計(jì),在各種需要高效電源轉(zhuǎn)換和大電流處理的應(yīng)用中均能提供出色的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛