### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSC900N20NS3 G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET，封裝形式為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)，具備高耐壓和穩(wěn)定的電流承載能力，適合用于高電壓、高功率的開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: 200V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))**: 38mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 30A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高電壓開(kāi)關(guān)電源**: BSC900N20NS3 G-VB 適用于高電壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，能夠處理高達(dá) 200V 的電壓，保證電源系統(tǒng)的穩(wěn)定和高效。

2. **功率管理**: 在高功率電源管理系統(tǒng)中使用，能夠有效控制和調(diào)節(jié)高電壓電源，適用于電池管理和電源分配模塊。

3. **電機(jī)控制**: 適合高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，提供穩(wěn)定的電流控制和高效開(kāi)關(guān)功能，確保電機(jī)在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **工業(yè)設(shè)備**: 在工業(yè)設(shè)備中作為高電壓開(kāi)關(guān)使用，適用于需要高耐壓、高功率處理的場(chǎng)景，如工業(yè)電源和高功率負(fù)載控制。