chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 78 粉絲

BSL207SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSL207SP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BSL207SP-VB** 是一款單通道 P 型 MOSFET,封裝形式為 SOT23-6。該器件設(shè)計用于低電壓和中等電流應(yīng)用,具有較高的漏極-源極耐壓(-30V)和較低的 RDS(ON)(49mΩ @ VGS=10V)。最大漏極電流為 -4.8A,閾值電壓為 -1.7V,柵極-源極耐壓為 ±20V。采用溝道工藝(Trench),適合用于小型電子設(shè)備中的高效開關(guān)和控制。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: BSL207SP-VB
- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 單通道 P 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **RDS(ON)**: 54mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 49mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -4.8A
- **技術(shù)**: 溝道工藝 (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**BSL207SP-VB** 在以下領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)出色:

1. **負(fù)載開關(guān)**:適用于低電壓負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,如電源管理模塊和負(fù)載保護(hù)電路,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。
2. **電池供電系統(tǒng)**:在電池供電設(shè)備中使用,控制和管理電流,適合便攜式電子產(chǎn)品和小型電池管理系統(tǒng)。
3. **電機(jī)驅(qū)動**:用于低電流電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng),如小型風(fēng)扇、電動玩具和自動化設(shè)備。
4. **LED 驅(qū)動**:在LED驅(qū)動電路中使用,高效地控制LED開關(guān),適合低功耗照明應(yīng)用。
5. **開關(guān)電源**:用于開關(guān)電源中的負(fù)載切換,提供可靠的開關(guān)控制,支持各種低電壓電源應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    170瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    154瀏覽量