--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號**: BSL806N-VB
**封裝**: SOT23-6
**配置**: 雙N溝道MOSFET(N+N)
**技術(shù)**: 溝槽型技術(shù)
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **VDS**: 20V (漏源極電壓)
- **VGS**: ±12V (柵源極電壓)
- **Vth**: 0.5~1.5V (柵源極閾值電壓)
- **RDS(ON)**:
- 28mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID**: 6A (漏極電流)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理**: 適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和小型電源開關(guān),提供高效的電流控制和低導(dǎo)通電阻。
2. **消費電子**: 用于智能手機、平板電腦等設(shè)備中的功率開關(guān)和電源管理模塊,提升電源效率和穩(wěn)定性。
3. **便攜式設(shè)備**: 在便攜式電子產(chǎn)品中用于電源管理和開關(guān)控制,優(yōu)化能源使用并延長電池壽命。
4. **小型電機控制**: 適合小型電機和負(fù)載控制應(yīng)用,確保高效的電流開關(guān)和負(fù)載管理。
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