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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSO080P03S-VB一款Single-P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSO080P03S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 BSO080P03S-VB是一款
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSO080P03S-VB是一款高性能單管P溝道MOSFET,封裝形式為SOP8。該MOSFET設(shè)計(jì)用于負(fù)電壓應(yīng)用,具有-30V的漏極-源極耐壓和±20V的柵極-源極耐壓,門(mén)檻電壓為-2.5V。采用Trench技術(shù)制造,具有非常低的導(dǎo)通電阻,適合用于高電流和高效能的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSO080P03S-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單管P溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門(mén)檻電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 15mΩ
 - 10V柵極驅(qū)動(dòng)下: 11mΩ
- **漏極電流 (ID)**: -13.5A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BSO080P03S-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源開(kāi)關(guān)**: 在高電流電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,作為高效開(kāi)關(guān)元件,減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. **電池管理系統(tǒng)**: 用于電池管理系統(tǒng)中,作為負(fù)電流開(kāi)關(guān),提供穩(wěn)定的電源切換和保護(hù)功能。
3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,作為開(kāi)關(guān)元件,以支持高電流和低功率損耗的轉(zhuǎn)換。
4. **功率放大器**: 在功率放大器電路中,用于負(fù)電壓開(kāi)關(guān),提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在需要高效、穩(wěn)定負(fù)電壓開(kāi)關(guān)的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

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