--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT223
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**BSP319-VB** 是一款單通道 N 溝道 MOSFET,封裝類型為 SOT223。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),專為中等電壓和高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。它的最大漏源極電壓(VDS)為 60V,適用于中等電壓環(huán)境。最大門源極電壓(VGS)為 ±20V,提供廣泛的驅(qū)動(dòng)能力。BSP319-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 33mΩ,在 VGS 為 10V 時(shí)為 28mΩ,具有較低的功耗和較高的電流處理能力。其最大漏極電流(ID)為 7A,適合處理中等電流負(fù)載。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: BSP319-VB
- **封裝**: SOT223
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **門源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 28mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理**:
BSP319-VB 在電源管理模塊中表現(xiàn)出色,特別是在需要中等電壓和電流開關(guān)的應(yīng)用中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源分配系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻可以有效減少功耗,提高系統(tǒng)的整體效率。
2. **負(fù)載開關(guān)**:
該 MOSFET 適用于各種負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,包括電池供電的設(shè)備和電源切換模塊。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理較大的負(fù)載電流,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
3. **電機(jī)控制**:
在電機(jī)控制應(yīng)用中,BSP319-VB 可以用于直流電機(jī)的開關(guān)控制,提供可靠的電流控制和開關(guān)性能。其中等電流處理能力適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的中等電流負(fù)載。
4. **汽車電子**:
在汽車電子系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)和車載電源控制,BSP319-VB 能夠高效地處理電流開關(guān)需求。其中等電壓和高電流能力使其適合用于汽車電源管理和開關(guān)控制。
這款 MOSFET 的中等電壓處理能力和高效能使其在電源管理、負(fù)載開關(guān)和電機(jī)控制等應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,提供了穩(wěn)定和高效的開關(guān)解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛