--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SC70-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
BSS138DW-VB 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET,封裝為 SC70-6,設(shè)計用于低電流開關(guān)和信號處理應(yīng)用。其具備 60V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 1.7V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅(qū)動電壓下,導(dǎo)通電阻為 3200mΩ,在 10V 的柵極驅(qū)動電壓下為 2500mΩ。最大漏極電流為 0.3A,采用 Trench 技術(shù),適用于低功耗和小型電子設(shè)備。
### 參數(shù)說明
- **型號**: BSS138DW-VB
- **封裝**: SC70-6
- **配置**: 雙通道 N 溝道 MOSFET(N+N)
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3200mΩ @ VGS = 4.5V
- 2500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 0.3A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSS138DW-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **低電流開關(guān)**: 在低電流開關(guān)應(yīng)用中控制信號或小功率負載,適合移動設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品。
- **信號處理**: 用于信號開關(guān)和小功率負載控制,確保高效和穩(wěn)定的信號處理。
- **開關(guān)電源**: 在開關(guān)電源電路中作為開關(guān)元件,處理小功率和低電流的應(yīng)用。
- **消費電子**: 適用于低功耗消費電子產(chǎn)品中的開關(guān)控制,如智能手表、傳感器和小型家電。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12