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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSS192-VB一款Single-P溝道SOT89的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSS192-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT89
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BSS192-VB 是一款高電壓?jiǎn)瓮ǖ?P 溝道 MOSFET,封裝為 SOT89,專(zhuān)為高電壓開(kāi)關(guān)和負(fù)載控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有 -200V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 -3V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,導(dǎo)通電阻為 900mΩ,在 10V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為 800mΩ。最大漏極電流為 -1.8A,采用 Trench 技術(shù),確保在高電壓下提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能和較低的導(dǎo)通電阻。

### 參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: BSS192-VB
- **封裝**: SOT89
- **配置**: 單通道 P 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -200V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 900mΩ @ VGS = 4.5V
 - 800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -1.8A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSS192-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **高電壓開(kāi)關(guān)**: 在高電壓電源管理系統(tǒng)中作為開(kāi)關(guān)元件,控制高電壓電路中的負(fù)載和電源。
- **電源保護(hù)**: 用于高電壓電源的保護(hù)開(kāi)關(guān),防止電流過(guò)大導(dǎo)致的損壞,確保設(shè)備安全。
- **工業(yè)控制**: 在高電壓工業(yè)應(yīng)用中提供可靠的開(kāi)關(guān)功能,控制大功率負(fù)載。
- **消費(fèi)電子**: 適用于高電壓電源適配器和特定電子設(shè)備中,如高電壓應(yīng)用的電視和音響系統(tǒng)。

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