--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**BSZ050N03MS G-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET,封裝為DFN8(3X3)。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS),支持最大±20V的柵極源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻為19mΩ(VGS=4.5V)和13mΩ(VGS=10V),最大漏電流為30A。MOSFET采用溝槽技術(shù),設(shè)計(jì)用于高電流和中等電壓的開關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: BSZ050N03MS G-VB
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 30A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊
**BSZ050N03MS G-VB** 功率MOSFET 主要適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理**:在電源轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件,能夠處理高電流負(fù)載,適合高效電源管理和轉(zhuǎn)換。
2. **負(fù)載開關(guān)**:用于高電流負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,如電源模塊和工業(yè)設(shè)備,提供高效電流控制,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
3. **電動機(jī)驅(qū)動**:在電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中使用,適合高電流電動機(jī)控制,如電動工具和電動車輛,提供穩(wěn)定的電流輸出。
4. **功率調(diào)節(jié)**:在功率調(diào)節(jié)模塊中,用于電流調(diào)節(jié)和控制,適合高電流電源模塊和調(diào)節(jié)器,提高系統(tǒng)性能和效率。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它