### BSZ088N03LS G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

#### 1. 產(chǎn)品簡介

BSZ088N03LS G-VB 是英飛凌公司推出的一款高性能單級N溝道MOSFET，專為高效能電源管理應用設計。該MOSFET具有30V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），采用緊湊的DFN8（3x3 mm）封裝，適用于空間受限的設計。其先進的溝槽技術使其具備低導通電阻和高電流處理能力，確保在電源開關應用中表現(xiàn)出色。

#### 2. 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型：** DFN8（3x3 mm）
- **配置：** 單級N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 30V
- **柵源電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）：**
 - 在 VGS = 4.5V 時：19mΩ
 - 在 VGS = 10V 時：13mΩ
- **連續(xù)漏電流（ID）：** 30A
- **技術：** 溝槽技術

#### 3. 應用領域及模塊舉例

- **電源模塊：** BSZ088N03LS G-VB 非常適合用于DC-DC轉換器和電源模塊。其低RDS(ON)和高電流處理能力有助于降低功率損耗，提高效率，這對電信和網(wǎng)絡設備中的緊湊高效電源尤為關鍵。

- **電機控制電路：** 在電動車或工業(yè)自動化中的電機控制應用中，BSZ088N03LS G-VB 的高電流處理能力和穩(wěn)定性確保了可靠的操作。該MOSFET能夠高效地開關電機驅動電路，實現(xiàn)對電機速度和扭矩的精準控制。

- **電池管理系統(tǒng)（BMS）：** 這款MOSFET非常適合用于電動車和便攜式電子設備中的電池保護電路。其高電流處理能力和低導通電阻能夠最大限度地減少功率損耗，從而提升電池管理系統(tǒng)的整體效率和安全性。

- **消費電子產(chǎn)品：** 在筆記本電腦、智能手機和平板電腦等設備中，BSZ088N03LS G-VB 可用于電源管理單元，以確保高效的電力分配和熱管理。其緊湊的DFN8封裝使其能夠集成到輕薄設計中，在不犧牲空間的情況下保持高性能。

- **可再生能源系統(tǒng)：** 該MOSFET 適用于太陽能逆變器和風力發(fā)電控制器等可再生能源系統(tǒng)。其高效能和可靠性使其成為提升可再生能源系統(tǒng)性能和壽命的理想選擇。