chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

9.1k 內(nèi)容數(shù) 72w+ 瀏覽量 14 粉絲

BSZ120P03NS3 G-VB一款Single-P溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSZ120P03NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BSZ120P03NS3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

BSZ120P03NS3 G-VB 是英飛凌(Infineon Technologies)推出的一款高性能P溝道MOSFET。該器件采用DFN8(3x3)封裝,尺寸小巧,適合空間受限的應用環(huán)境。BSZ120P03NS3 G-VB 采用先進的溝槽技術(shù),具備低導通電阻和優(yōu)良的功率處理能力,能夠滿足各種高效能功率管理需求。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型:** DFN8(3x3)
- **配置:** 單極P溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** -30V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **門限電壓(Vth):** -2.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
 - 18mΩ @ VGS = 4.5V
 - 11mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** -45A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### 在不同領(lǐng)域和模塊中的應用實例

1. **便攜式設(shè)備的電源管理:**
  BSZ120P03NS3 G-VB 的低導通電阻和小巧封裝使其非常適合用于智能手機、平板電腦和其他便攜式設(shè)備中的電源管理。它可以高效地管理電池電源,提高能效并延長設(shè)備的電池壽命。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器:**
  該MOSFET 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異,尤其適用于降壓轉(zhuǎn)換器的高側(cè)開關(guān)。其低RDS(ON)和高電流處理能力使其能夠有效地轉(zhuǎn)換電壓,并減少系統(tǒng)中的熱量產(chǎn)生。

3. **電機驅(qū)動控制:**
  在電機控制應用中,如電動工具、機器人和無人機,BSZ120P03NS3 G-VB 可以用于控制電機的速度和方向。其高電流處理能力和可靠性確保能夠滿足電機驅(qū)動的高功率需求。

4. **負載開關(guān)應用:**
  該MOSFET 適用于各種負載開關(guān)應用,包括工業(yè)自動化設(shè)備和家用電器。由于其出色的開關(guān)性能和低功耗,它能夠高效地控制各種負載,提升系統(tǒng)的整體性能。

5. **電池保護電路:**
  BSZ120P03NS3 G-VB 還可用于電池保護電路,尤其是在電動汽車和儲能系統(tǒng)中。其高電流處理能力和低導通電阻可以有效保護電池免受過流和短路的影響,保證系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定。

BSZ120P03NS3 G-VB MOSFET 的綜合性能使其成為各種高效功率管理應用的理想選擇,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對性能和可靠性的需求。

為你推薦