--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### BSZ22DN20NS3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BSZ22DN20NS3 G-VB 是英飛凌(Infineon Technologies)推出的一款高性能N溝道MOSFET。該器件封裝在緊湊的DFN8(3x3)封裝中,適用于空間受限的應(yīng)用。BSZ22DN20NS3 G-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有高電壓承受能力和較低的導(dǎo)通電阻,能夠滿足各種高功率需求的應(yīng)用場(chǎng)景。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型:** DFN8(3x3)
- **配置:** 單極N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 200V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **門限電壓(Vth):** 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 85mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** 9.3A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### 在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用實(shí)例
1. **高電壓電源管理:**
BSZ22DN20NS3 G-VB 的高電壓承受能力(200V)使其非常適合用于高電壓電源管理系統(tǒng)。在這些系統(tǒng)中,它能夠有效地開(kāi)關(guān)高電壓電源,同時(shí)保持較低的導(dǎo)通電阻,從而提高系統(tǒng)效率。
2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器:**
該MOSFET 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中也有廣泛應(yīng)用,特別是高電壓轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻和高電壓承受能力使其成為降壓轉(zhuǎn)換器和升壓轉(zhuǎn)換器中的理想選擇,有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路:**
在需要高電壓和高功率的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,BSZ22DN20NS3 G-VB 可以有效地控制電機(jī)的電流和電壓。這使得它適合用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電機(jī)控制等領(lǐng)域。
4. **開(kāi)關(guān)電源:**
由于其高電壓和高電流處理能力,該MOSFET 也可以用于開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中。在這些應(yīng)用中,BSZ22DN20NS3 G-VB 可以作為開(kāi)關(guān)元件,以高效地控制電源的開(kāi)關(guān)操作。
5. **逆變器和UPS系統(tǒng):**
在逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,該MOSFET 的高電壓能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理較高的電壓和電流,同時(shí)保證系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。
BSZ22DN20NS3 G-VB 的特性使其在需要高電壓、高功率處理的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠滿足各種復(fù)雜和高要求的電子設(shè)計(jì)需求。
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