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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSZ240N12NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSZ240N12NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BSZ240N12NS3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

#### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSZ240N12NS3 G-VB 是英飛凌公司推出的一款高性能單級(jí)N溝道MOSFET,專(zhuān)為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET具有100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),采用緊湊的DFN8(3x3 mm)封裝。它使用了先進(jìn)的溝槽技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,使其在各種電源開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

#### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型:** DFN8(3x3 mm)
- **配置:** 單級(jí)N溝道
- **漏源電壓(VDS):** 100V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
 - 在 VGS = 10V 時(shí):17mΩ
- **連續(xù)漏電流(ID):** 35.5A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

#### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

- **電源轉(zhuǎn)換器:** BSZ240N12NS3 G-VB 非常適合用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源模塊。其100V的漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地處理高電壓和大電流應(yīng)用,從而提高電源轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,適用于高功率密度的電子設(shè)備。

- **電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用:** 在電動(dòng)車(chē)或工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,BSZ240N12NS3 G-VB 可用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制電路。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保電機(jī)的高效運(yùn)行和精確控制,特別是在要求高電壓和高電流的應(yīng)用場(chǎng)景中。

- **電池管理系統(tǒng)(BMS):** 該MOSFET 是電池管理系統(tǒng)中的理想選擇,尤其適用于需要高電壓處理能力的電池保護(hù)電路。其穩(wěn)定性和低導(dǎo)通電阻能夠有效地管理和保護(hù)電池組,提升系統(tǒng)的整體效率和安全性。

- **消費(fèi)電子設(shè)備:** 在需要高電壓電源管理的消費(fèi)電子設(shè)備中,例如高性能筆記本電腦和高端電子設(shè)備,BSZ240N12NS3 G-VB 可以用于電源開(kāi)關(guān)和管理模塊。其緊湊的DFN8封裝和高性能使其適合用于高集成度的電子產(chǎn)品中。

- **可再生能源系統(tǒng):** 在太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中,BSZ240N12NS3 G-VB 適用于高電壓功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其高電壓和高電流處理能力使其能夠在這些系統(tǒng)中提供可靠的性能,提高整體能源轉(zhuǎn)換效率。

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