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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BUK553-100A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BUK553-100A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、BUK553-100A-VB 產品簡介

BUK553-100A-VB 是一款由 NXP Semiconductors 生產的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO-220 封裝。這款 MOSFET 具備 100V 的漏源電壓 (VDS) 和 20V 的柵源電壓 (VGS),是基于先進的 Trench 技術制造的。其主要特性包括 127mΩ 的導通電阻 (RDS(ON)),在 10V 柵源電壓下可承受 18A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。這款 MOSFET 設計用于高效的開關和放大應用,廣泛應用于電源管理、直流電機控制以及工業(yè)自動化領域。

### 二、BUK553-100A-VB 詳細參數說明

| 參數                   | 值                       | 單位   |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產品型號               | BUK553-100A-VB           |        |
| 封裝                   | TO-220                   |        |
| 配置                   | 單 N 溝道                |        |
| 漏源電壓 (VDS)         | 100                      | V      |
| 柵源電壓 (VGS)         | ±20                      | V      |
| 閾值電壓 (Vth)         | 1.8                      | V      |
| 導通電阻 (RDS(ON))     | 127                      | mΩ     |
| 柵極電流 (IG)          | 100                      | nA     |
| 連續(xù)漏極電流 (ID)      | 18                       | A      |
| 瞬時脈沖漏極電流 (ID(pulse)) | 72               | A      |
| 最大功耗 (Ptot)        | 125                      | W      |
| 工作溫度范圍           | -55 至 +175             | °C     |
| 存儲溫度范圍           | -55 至 +175             | °C     |
| 技術                   | Trench                   |        |

### 三、應用領域和模塊示例

BUK553-100A-VB MOSFET 廣泛應用于各種電子和工業(yè)領域,以下是幾個應用示例:

1. **電源管理**:在開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中,BUK553-100A-VB 可用于高效的電源開關,提升整體轉換效率,減少能量損耗。
  
2. **直流電機控制**:在電動工具和家用電器中的直流電機控制模塊中,該 MOSFET 可用作 H 橋電路的一部分,以實現對電機的精確控制和調速。

3. **工業(yè)自動化**:在工業(yè)自動化設備如可編程邏輯控制器 (PLC) 和驅動器中,BUK553-100A-VB 可用于控制高功率負載,如電磁閥和繼電器,確保系統的可靠性和響應速度。

4. **汽車電子**:在汽車電子中,該 MOSFET 可用于電源分配模塊 (PDM),電動助力轉向 (EPS) 系統和車載充電器中,提供穩(wěn)定的電流供應和保護功能。

通過這些應用示例,BUK553-100A-VB 展示了其在高效電源開關、精確電機控制以及可靠工業(yè)和汽車系統中的廣泛應用潛力。

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