### 一、BUK6510-75C-VB 產(chǎn)品簡介

BUK6510-75C-VB 是 NXP Semiconductors 生產(chǎn)的一款高性能單 N 溝道 MOSFET，封裝形式為 TO-220。這款 MOSFET 基于先進的 Trench 技術設計，具有 80V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規(guī)格。其在 4.5V 的柵源電壓下，導通電阻為 9mΩ，在 10V 的柵源電壓下進一步降低至 7mΩ。BUK6510-75C-VB 具備高達 100A 的連續(xù)漏極電流 (ID)，使其在高電流和低導通損耗的應用場景中表現(xiàn)優(yōu)異，非常適合用于高效開關、功率轉換及電源管理系統(tǒng)。

### 二、BUK6510-75C-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                   | 值                       | 單位   |
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| 產(chǎn)品型號               | BUK6510-75C-VB           |        |
| 封裝                   | TO-220                   |        |
| 配置                   | 單 N 溝道                |        |
| 漏源電壓 (VDS)         | 80                       | V      |
| 柵源電壓 (VGS)         | ±20                      | V      |
| 閾值電壓 (Vth)         | 3                        | V      |
| 導通電阻 (RDS(ON))     | 9 (VGS = 4.5V)           | mΩ     |
|                        | 7 (VGS = 10V)            | mΩ     |
| 柵極電流 (IG)          | 100                      | nA     |
| 連續(xù)漏極電流 (ID)      | 100                      | A      |
| 瞬時脈沖漏極電流 (ID(pulse)) | 200              | A      |
| 最大功耗 (Ptot)        | 125                      | W      |
| 工作溫度范圍           | -55 至 +175             | °C     |
| 存儲溫度范圍           | -55 至 +175             | °C     |
| 技術                   | Trench                   |        |

### 三、應用領域和模塊示例

BUK6510-75C-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其在多個領域具有顯著優(yōu)勢，以下是幾個具體的應用示例：

1. **高功率電源管理**：在開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中，BUK6510-75C-VB 能夠作為高效的開關元件，降低導通電阻，提升電源轉換效率，減少能量損耗。

2. **工業(yè)電動機控制**：由于其高電流承載能力，這款 MOSFET 適用于電動汽車、電動工具及工業(yè)電動機驅動系統(tǒng)中，可以實現(xiàn)高效的電機控制和精確的調速。

3. **功率轉換應用**：在高功率逆變器和功率轉換器中，BUK6510-75C-VB 可以處理大電流負載，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性，廣泛應用于太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 中。

4. **電池管理系統(tǒng)**：在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中，該 MOSFET 可用于處理高電流負載，提供過流保護和電池開關功能，提高系統(tǒng)的安全性和性能。

這些應用示例展示了 BUK6510-75C-VB 在需要高電流處理、低導通損耗和高效開關的場景中的關鍵作用。