--- 產品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**BUK652R3-40C-VB** 是一款采用 Trench 技術的單極 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220。它具備高電流承載能力和低導通電阻,專為高功率開關應用設計。這款 MOSFET 在高頻率和高電流應用中表現(xiàn)優(yōu)異,是高效電源管理和電力轉換系統(tǒng)中的理想選擇。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝**:TO220
- **配置**:單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:40V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 15mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**:180A
- **技術**:Trench 技術

### 適用領域與模塊舉例
**BUK652R3-40C-VB** 的高性能特性使其適用于多個領域和模塊,包括:
1. **高效電源管理**:由于其極低的導通電阻和高電流能力,該 MOSFET 非常適合用于高效的電源轉換系統(tǒng),如 DC-DC 轉換器和電源管理模塊,能夠顯著提高電源的轉換效率和減少功率損耗。
2. **電機驅動**:在電機驅動應用中,如電動工具和電動車輛的驅動系統(tǒng)中,BUK652R3-40C-VB 的高電流承載能力和低導通電阻使其能有效控制電機的啟動、停止和調速,提升整體驅動系統(tǒng)的性能和可靠性。
3. **逆變器系統(tǒng)**:在太陽能逆變器或其他高功率逆變器系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠在高功率開關操作中提供優(yōu)良的性能,保證系統(tǒng)的高效運行和穩(wěn)定性。
4. **高功率開關**:適用于各種高功率開關應用,如工業(yè)電源系統(tǒng)和電力控制模塊。其高電流和低導通電阻特性可以有效控制和管理大電流流動,提升系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性和效率。
綜上所述,BUK652R3-40C-VB 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,能夠滿足各種高功率開關和電源管理應用的需求。
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