中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ?是一種電子元件，主要用于電子設(shè)備的功率控制。其工作原理基于增強(qiáng)型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導(dǎo)電通道，從而實(shí)現(xiàn)電流的控制。主要應(yīng)用在消費(fèi)適配器、電子工具和DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

功能特性：

? 設(shè)備額定電壓VDS:=100V,連續(xù)工作時(shí)漏極電流上限 ID = 105A

? 導(dǎo)通電阻=8mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 20A

? 專有高密度溝槽技術(shù)

?符合RoHS和無(wú)鹵素 （不含鹵素或鹵素含量極低的材料或產(chǎn)品）

封裝：DFN 5*6-8L

參數(shù)：

?VDS（Drain-Source Voltage）?：100V
?VGS（Gate-Source Voltage）?：±20V
?ID（Continuous Drain Current）?：Tc=25°對(duì)應(yīng)最大漏極電流上限100A,Tc=100°對(duì)應(yīng)漏極電流上限最大值66A
?IDM（Pulsed Drain Current）：420A
PD（Total Power Dissipation）?：TC = 25℃ 對(duì)應(yīng)208W,TA = 25℃對(duì)應(yīng)2.08W
EAS單脈沖雪崩能量:161mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:60°C\W
RθJC:結(jié)到殼的熱阻:0.6°C\W
?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C
注：電氣特性 除非另有說(shuō)明，TC=25℃，
1.數(shù)據(jù)在帶有2OZ銅的FR-4板上進(jìn)行測(cè)試。
2.數(shù)據(jù)在脈沖下測(cè)試，脈沖寬度≦300，占空比≦2%。
3.EAS數(shù)據(jù)顯示最大額定值。測(cè)試條件為L(zhǎng)=0.1mH，IAS=567A。
4.功率損耗受150℃結(jié)溫限制。
5.理論上，數(shù)據(jù)與ID和IDM相同，在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)受功率損耗限制。