### BUK663R5-55C-VB 產(chǎn)品簡介

BUK663R5-55C-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用TO263封裝，設(shè)計用于高電流和低電阻應(yīng)用。這款MOSFET具有60V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS）。它采用先進(jìn)的溝槽（Trench）技術(shù)，提供極低的導(dǎo)通電阻。在VGS為4.5V時的導(dǎo)通電阻為12mΩ，在VGS為10V時的導(dǎo)通電阻為3.2mΩ，最大漏極電流（ID）為210A。BUK663R5-55C-VB在需要高電流處理和低功耗的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，適合各種高效電源管理和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。

### BUK663R5-55C-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)             | 值                | 單位 |
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| 封裝類型         | TO263             |      |
| 配置             | 單N溝道           |      |
| 漏源電壓 (VDS)   | 60                | V    |
| 柵源電壓 (VGS)   | ±20               | V    |
| 閾值電壓 (Vth)   | 3.0               | V    |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 12 (VGS=4.5V)    | mΩ   |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 3.2 (VGS=10V)    | mΩ   |
| 最大漏極電流 (ID) | 210               | A    |
| 技術(shù)             | 溝槽（Trench）    |      |

### BUK663R5-55C-VB 適用領(lǐng)域和模塊

1. **高效電源開關(guān)（High-Efficiency Power Switching）**：
  BUK663R5-55C-VB在高效電源開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，特別適用于需要高電流處理和低導(dǎo)通電阻的場合。其210A的漏極電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電源系統(tǒng)的效率，降低功率損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動（Motor Drives）**：
  在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中，該MOSFET可以處理高電流負(fù)載，適用于直流電機(jī)和無刷電機(jī)（BLDC）的驅(qū)動。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行和高效控制。

3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器（DC-DC Converters）**：
  BUK663R5-55C-VB在DC-DC轉(zhuǎn)換器中適用于高電流和高效轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。其極低的導(dǎo)通電阻有助于提高轉(zhuǎn)換器的效率，減少功率損耗，并增強(qiáng)系統(tǒng)的整體性能。

4. **電池管理系統(tǒng)（Battery Management Systems）**：
  在電池管理系統(tǒng)中，該MOSFET能夠有效控制高電流負(fù)載，適用于保護(hù)電路和負(fù)載開關(guān)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電池的使用壽命和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

5. **電源供應(yīng)模塊（Power Supply Modules）**：
  BUK663R5-55C-VB適用于電源供應(yīng)模塊，尤其是在需要高電流開關(guān)的應(yīng)用中。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效管理高功率需求，提供穩(wěn)定可靠的性能。

BUK663R5-55C-VB以其高電流處理能力和極低的導(dǎo)通電阻，適用于需要高效和穩(wěn)定性能的各種電子應(yīng)用，為電源管理、電機(jī)驅(qū)動和高效開關(guān)應(yīng)用提供了可靠的解決方案。