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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BUK6E2R3-40C-VB一種Single-N溝道TO262封裝MOS管

型號(hào): BUK6E2R3-40C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.3V
  • RDS(ON) 1.7mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK6E2R3-40C-VB 產(chǎn)品簡介

**BUK6E2R3-40C-VB** 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝形式為 TO262。該器件采用 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,專為高效電源管理和高負(fù)載開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其出色的電流處理能力和低功耗特性使其適用于各種需要高效率和高穩(wěn)定性的應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝(Package):** TO262
- **配置(Configuration):** 單N溝道
- **最大漏源電壓(VDS):** 40V
- **最大柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3.3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(on)):** 1.7mΩ(在 VGS = 10V 時(shí))
- **最大連續(xù)漏極電流(ID):** 150A
- **技術(shù)(Technology):** Trench

### 適用領(lǐng)域與模塊舉例

**BUK6E2R3-40C-VB** 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高效電源管理:**
  由于其超低的導(dǎo)通電阻和高電流能力,BUK6E2R3-40C-VB 是高效電源管理系統(tǒng)的理想選擇。例如,在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源供應(yīng)器中,該 MOSFET 能夠有效降低功耗,提升系統(tǒng)的整體效率,處理高負(fù)載條件。

2. **電動(dòng)汽車:**
  在電動(dòng)汽車的電源系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)(BMS),該 MOSFET 可以用來控制電池的充電和放電過程。其高電流處理能力和低功耗特性確保了電池的高效管理和長壽命。

3. **高功率開關(guān)電源:**
  在高功率開關(guān)電源應(yīng)用中,如逆變器和功率放大器,BUK6E2R3-40C-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻可以保持高效的開關(guān)性能,適用于高負(fù)載和高頻率的開關(guān)應(yīng)用。

4. **工業(yè)自動(dòng)化:**
  在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載控制,BUK6E2R3-40C-VB 能夠提供穩(wěn)定的電流開關(guān)能力。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其適用于高負(fù)載和高效能的工業(yè)應(yīng)用。

5. **消費(fèi)電子:**
  在消費(fèi)電子產(chǎn)品如筆記本電腦、電視機(jī)等電源管理模塊中,這款 MOSFET 能夠優(yōu)化電源供應(yīng),提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和能效。其優(yōu)秀的開關(guān)性能和低能耗特性對(duì)提升整體設(shè)備的性能和使用壽命至關(guān)重要。

總體而言,BUK6E2R3-40C-VB 是一款高效能、高可靠性的 MOSFET,能夠滿足高電流和低功耗的應(yīng)用需求,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)汽車、高功率開關(guān)電源、工業(yè)自動(dòng)化及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

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