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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BUK6E3R2-55C-VB一種Single-N溝道TO262封裝MOS管

型號: BUK6E3R2-55C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2.8mΩ@VGS=10V
  • ID 210A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

## BUK6E3R2-55C-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

**BUK6E3R2-55C-VB** 是一款高性能單極 N 通道 MOSFET,采用 Trench 技術(shù),封裝形式為 TO262。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于處理中等電壓應(yīng)用,提供極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力。這使得它在高功率和高效能電子系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別適合需要高開關(guān)速度和低功耗的應(yīng)用場合。

## 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO262
- **配置**: 單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(on))**: 2.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**: 210A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

## 適用領(lǐng)域與模塊舉例

**BUK6E3R2-55C-VB** 主要適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高效電源管理**:由于其極低的導(dǎo)通電阻(2.8mΩ @ VGS = 10V)和高電流能力(210A),BUK6E3R2-55C-VB 非常適合用于高效的電源管理系統(tǒng),包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源供應(yīng)器和功率分配模塊。它能夠有效降低功耗,提升系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

2. **電動汽車**:在電動汽車應(yīng)用中,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動驅(qū)動系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電池和驅(qū)動系統(tǒng)的效率和安全性,特別是在高功率和高負(fù)載條件下。

3. **工業(yè)電源和控制**:在工業(yè)電源和控制系統(tǒng)中,這款 MOSFET 適用于高功率開關(guān)應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動器和高功率開關(guān)電源。其高電流容量和低導(dǎo)通電阻確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定和高效運(yùn)行,滿足工業(yè)環(huán)境中的需求。

4. **大功率開關(guān)應(yīng)用**:該 MOSFET 可以用于各種大功率開關(guān)應(yīng)用,如電力變換器和逆變器。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高功率條件下提供穩(wěn)定的性能,確保電力轉(zhuǎn)換過程的高效和可靠。

總結(jié)來說,BUK6E3R2-55C-VB MOSFET 的 TO262 封裝、低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在電源管理、電動汽車、工業(yè)電源和大功率開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。其 Trench 技術(shù)確保在各種高功率和高效率應(yīng)用中提供可靠的性能。

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