chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

BUK7210-55B-VB一種Single-N溝道TO252封裝MOS管

型號(hào): BUK7210-55B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BUK7210-55B-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。它利用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供了較低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于需要高效率和高電流的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**:BUK7210-55B-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 13mΩ(VGS = 4.5V)
 - 10mΩ(VGS = 10V)
- **漏極電流 (ID)**:58A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**:BUK7210-55B-VB 非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻能夠減少能量損耗,提高整體電源效率,并在高負(fù)載情況下提供穩(wěn)定的性能。

2. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具中,該MOSFET 可用于電池管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保工具在高功率需求下的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能。

3. **電動(dòng)汽車**:BUK7210-55B-VB 可應(yīng)用于電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高車輛性能和電池壽命,滿足復(fù)雜的電力需求。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在需要高電流和高效能的消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如高級(jí)音響系統(tǒng)和電源適配器,BUK7210-55B-VB 能夠提供穩(wěn)定的性能和高效能,確保設(shè)備在高負(fù)載情況下的可靠運(yùn)行。

BUK7210-55B-VB 的卓越電氣性能和高電流處理能力,使其在各種高要求應(yīng)用中表現(xiàn)出色,為現(xiàn)代電子設(shè)備提供了高效、可靠的解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    68瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    49瀏覽量