chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

BUK7506-55B-VB一種Single-N溝道TO220封裝MOS管

型號: BUK7506-55B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK7506-55B-VB 產(chǎn)品簡介

**BUK7506-55B-VB** 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,采用 TO220 封裝形式。該器件采用 Trench 技術(shù)制造,具有超低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,設(shè)計用于高效能的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。其特性使其適用于需要處理高電流和高效率的各種應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝(Package):** TO220
- **配置(Configuration):** 單N溝道
- **最大漏源電壓(VDS):** 60V
- **最大柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(on)):** 5mΩ(在 VGS = 10V 時)
- **最大連續(xù)漏極電流(ID):** 120A
- **技術(shù)(Technology):** Trench

### 適用領(lǐng)域與模塊舉例

**BUK7506-55B-VB** 的高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其非常適合以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高效電源管理:**
  由于其超低的導(dǎo)通電阻和高電流能力,BUK7506-55B-VB 是高效電源轉(zhuǎn)換模塊的理想選擇。例如,在高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源供應(yīng)器中,該 MOSFET 可以有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率,并能處理高負(fù)載條件。

2. **電動汽車:**
  在電動汽車的電源系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)(BMS),該 MOSFET 可以用于控制電池的充電和放電過程。其高電流處理能力和低功耗特性確保了電池管理的高效和安全,提升電池的性能和壽命。

3. **高功率開關(guān)電源:**
  在高功率開關(guān)電源應(yīng)用中,如逆變器和功率放大器,BUK7506-55B-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠維持高效的開關(guān)性能,適用于高負(fù)載和高頻率的開關(guān)應(yīng)用。

4. **工業(yè)自動化:**
  在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,如電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載控制,BUK7506-55B-VB 能夠提供穩(wěn)定的電流開關(guān)能力。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其適用于高負(fù)載和高效能的工業(yè)應(yīng)用。

5. **消費(fèi)電子:**
  在消費(fèi)電子產(chǎn)品如筆記本電腦、電視機(jī)等電源管理模塊中,這款 MOSFET 能夠優(yōu)化電源供應(yīng),提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和能效。其優(yōu)秀的開關(guān)性能和低能耗特性對提升整體設(shè)備的性能和使用壽命至關(guān)重要。

總體而言,BUK7506-55B-VB 是一款高效能、高可靠性的 MOSFET,能夠滿足高電流和低功耗的應(yīng)用需求,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動汽車、高功率開關(guān)電源、工業(yè)自動化及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    68瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    49瀏覽量