--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**BUK7509-55A-VB** 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO-220 封裝。該 MOSFET 主要應(yīng)用于高功率開(kāi)關(guān)和電源管理領(lǐng)域。它具有高電流承載能力和低導(dǎo)通阻抗,適合需要高效率和高負(fù)載能力的應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**:TO-220
- **配置**:?jiǎn)?N 通道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **柵源閾值電壓(Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:5mΩ(在 VGS = 10V 時(shí))
- **最大漏電流(ID)**:120A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**BUK7509-55A-VB** 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,具體包括:
1. **電源管理**:
- **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在高效能的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,BUK7509-55A-VB 可用作主開(kāi)關(guān)或同步整流器,以提高轉(zhuǎn)換效率和降低能量損失。
- **電池管理系統(tǒng)**:在電池充電和放電管理中,它可以處理大電流,確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定。
2. **功率放大器**:
- **音頻放大器**:在音頻功率放大器中,MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻可以減少功率損耗,提高音頻質(zhì)量。
3. **電動(dòng)汽車**:
- **電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率控制模塊中,BUK7509-55A-VB 可以有效控制電流,提升電動(dòng)汽車的性能和續(xù)航里程。
4. **工業(yè)控制**:
- **電機(jī)控制**:在工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中,該 MOSFET 能夠處理大電流,確保電機(jī)在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
5. **開(kāi)關(guān)電源**:
- **高效開(kāi)關(guān)電源**:在高功率開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,MOSFET 的低 RDS(ON) 可以減少開(kāi)關(guān)損耗,提高整體系統(tǒng)的效率。
這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊展示了 BUK7509-55A-VB 的靈活性和高性能,特別是在需要處理高電流和高效率的場(chǎng)合。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛