--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 9mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### BUK7510-100B-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**產(chǎn)品名稱**: BUK7510-100B-VB
**封裝**: TO-220
**配置**: 單極N溝MOSFET
BUK7510-100B-VB是一款高性能的N溝MOSFET,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用TO-220封裝和先進(jìn)的Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合各種要求高效能和高可靠性的電子電路。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **V_DS(漏源電壓)**: 100V
MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。
- **V_GS(柵源電壓)**: ±20V
MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。
- **V_th(柵極閾值電壓)**: 2.5V
使MOSFET開始導(dǎo)通所需的最小柵源電壓。
- **R_DS(ON)(漏源導(dǎo)通電阻)**:
- 20mΩ @ V_GS = 4.5V
- 9mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關(guān)效率和更低的功率損耗。
- **I_D(連續(xù)漏極電流)**: 100A
MOSFET能夠承受的最大連續(xù)漏極電流。
- **技術(shù)**: Trench
采用Trench技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻和高效性能。
### 應(yīng)用領(lǐng)域
BUK7510-100B-VB MOSFET適用于多種高電壓和高電流的應(yīng)用場(chǎng)景:
1. **電源管理**:
- **高電流電源開關(guān)**: 適用于高電流開關(guān)應(yīng)用,如高效開關(guān)電源(SMPS),其低R_DS(ON)值能夠顯著減少功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
- **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中提供高效的電力轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),特別適用于需要處理大電流的應(yīng)用場(chǎng)合。
2. **電機(jī)控制**:
- **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)或電動(dòng)汽車(EV)電機(jī)控制,能夠處理高達(dá)100A的電流,提供高效、可靠的開關(guān)性能。
- **伺服電機(jī)**: 在精密伺服電機(jī)控制系統(tǒng)中,如機(jī)器人和自動(dòng)化設(shè)備,確保穩(wěn)定的高電流控制。
3. **汽車應(yīng)用**:
- **電力分配系統(tǒng)**: 在汽車電力分配系統(tǒng)中處理高電流負(fù)載,確保電力系統(tǒng)的可靠性和高效性。
- **電池管理系統(tǒng)(BMS)**: 在混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車中提升電池管理系統(tǒng)性能,優(yōu)化高電流處理能力。
4. **消費(fèi)電子**:
- **電源供應(yīng)單元(PSU)**: 適用于高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源供應(yīng)單元,如高性能計(jì)算機(jī)和音響系統(tǒng),提供高效的電源管理。
- **充電解決方案**: 在高電流充電應(yīng)用中,如快速充電系統(tǒng)和高功率充電器,確保高效、可靠的充電過(guò)程。
BUK7510-100B-VB以其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合各種高電壓和高電流的應(yīng)用需求,確保系統(tǒng)的高效性和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛