chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

BUK7511-55A-VB一種Single-N溝道TO220封裝MOS管

型號: BUK7511-55A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 11mΩ@VGS=10V
  • ID 60A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BUK7511-55A-VB** 是一款采用 Trench 技術的單極 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220。這款 MOSFET 特別設計用于高功率開關應用,具有較低的導通電阻和較高的電流承載能力。它的高效性能使其在電源管理和高功率開關領域中表現(xiàn)優(yōu)異。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:60V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
 - 13mΩ @ VGS = 4.5V
 - 11mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**:60A
- **技術**:Trench 技術

### 適用領域與模塊舉例

**BUK7511-55A-VB** 的高性能特點使其適用于多個高功率和高效能應用領域,包括:

1. **電源管理**:該 MOSFET 的較低導通電阻和高電流能力使其適合用于高效電源管理系統(tǒng),如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊。在這些應用中,它能夠提供穩(wěn)定的電流開關,提升系統(tǒng)的能效并減少功耗。

2. **電動汽車**:在電動汽車的電力電子系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動機驅(qū)動系統(tǒng),該 MOSFET 可以處理高電流的開關操作,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。這對于提升電動汽車的性能和續(xù)航能力非常重要。

3. **逆變器系統(tǒng)**:在高功率逆變器系統(tǒng)中,如太陽能光伏逆變器和工業(yè)逆變器,該 MOSFET 能夠處理高功率開關,提供高效的電力轉(zhuǎn)換,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源系統(tǒng)中,該 MOSFET 適用于高電流開關應用,如用于高功率電源供應器和負載開關,提供高效穩(wěn)定的電源控制。

5. **消費電子**:在消費電子產(chǎn)品如電視機和計算機電源模塊中,這款 MOSFET 可以用于高效的電源開關,幫助提高產(chǎn)品的能效和穩(wěn)定性。

總結來說,BUK7511-55A-VB 是一款具有高電流承載能力和較低導通電阻的 MOSFET,適合于各種高功率電源管理和開關應用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    68瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    49瀏覽量