--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 17mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、BUK7526-100B-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BUK7526-100B-VB 是飛利浦半導(dǎo)體(現(xiàn) NXP Semiconductors)生產(chǎn)的一款單N溝道功率MOSFET,封裝形式為TO-220。該MOSFET采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),具備較低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。它專為高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì),適用于高電壓和高電流的場(chǎng)景,能有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能。
### 二、BUK7526-100B-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. **封裝類型**:TO-220
2. **配置**:?jiǎn)蜰溝道
3. **漏源極電壓 (VDS)**:100V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 17mΩ @ VGS=10V
7. **漏極電流 (ID)**:70A
8. **技術(shù)類型**:Trench
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**應(yīng)用領(lǐng)域**:
1. **高效電源管理**:BUK7526-100B-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高效電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。它特別適用于開關(guān)電源(SMPS)和其他需要高電流和低功耗的電源管理應(yīng)用,如計(jì)算機(jī)電源、通信設(shè)備和工業(yè)電源等。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET 可以作為高電流開關(guān)元件,用于控制電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)節(jié)。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率和可靠性,適用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等領(lǐng)域。
3. **高功率開關(guān)**:BUK7526-100B-VB 適用于高功率開關(guān)應(yīng)用,如功率轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效地管理大功率負(fù)載,適用于各種高功率電子設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用。
**模塊舉例**:
1. **高效DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊**:BUK7526-100B-VB 可以集成在高效DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊中,提供穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換和高效能。這些模塊常用于計(jì)算機(jī)電源、通信基站和高性能消費(fèi)電子產(chǎn)品中。
2. **高電流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊**:在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,該MOSFET 可以作為開關(guān)元件應(yīng)用于H橋電路,以控制高電流電動(dòng)機(jī)的運(yùn)行。適用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中。
3. **功率開關(guān)模塊**:該MOSFET 還適用于高功率開關(guān)模塊,用于切換和控制大功率負(fù)載。這類模塊在電力管理、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)設(shè)備中發(fā)揮重要作用。
總之,BUK7526-100B-VB 由于其較低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于高效電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和高功率開關(guān)等應(yīng)用,為這些領(lǐng)域提供了高效、可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛