--- 產品參數 ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 24mΩ@VGS=10V
- ID 50A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、BUK7528-55-VB 產品簡介
BUK7528-55-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO-220 封裝。這款 MOSFET 采用先進的 Trench 技術設計,具有 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規(guī)格。在 4.5V 柵源電壓下,其導通電阻為 28mΩ,而在 10V 柵源電壓下,導通電阻進一步降低至 24mΩ。BUK7528-55-VB 支持高達 50A 的連續(xù)漏極電流 (ID),適用于需要高電流和低導通損耗的應用場景。其設計特點使其在中高功率應用領域中表現優(yōu)越,提供可靠的開關性能和高效能。
### 二、BUK7528-55-VB 詳細參數說明
| 參數 | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產品型號 | BUK7528-55-VB | |
| 封裝 | TO-220 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 60 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 28 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 24 (VGS = 10V) | mΩ |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 50 | A |
| 瞬時脈沖漏極電流 (ID(pulse)) | 200 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 94 | W |
| 工作溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 存儲溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 技術 | Trench | |
### 三、應用領域和模塊示例
BUK7528-55-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其在多個領域和應用中表現出色,以下是幾個具體的應用示例:
1. **電源管理**:在中高功率開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中,BUK7528-55-VB 能夠作為高效的開關元件,低導通電阻有助于減少能量損耗,提高電源轉換效率。這對于高性能電源供應和節(jié)能設計至關重要。
2. **電動機驅動**:由于其能夠處理較高電流負載,這款 MOSFET 非常適用于電動汽車、電動工具以及工業(yè)電動機驅動系統(tǒng)。它能夠實現高效的電機控制和精確調速,滿足對高電流和高可靠性的要求。
3. **功率轉換系統(tǒng)**:在一些功率轉換器和逆變器中,BUK7528-55-VB 可以處理中高電流負載,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。它廣泛應用于太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 中,保證功率轉換的效率和穩(wěn)定性。
4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中,BUK7528-55-VB 能夠處理高電流負載,提供過流保護和電池切換功能。其低導通電阻和高電流能力可以提高電池系統(tǒng)的安全性和性能,確保在各種工作條件下的穩(wěn)定運行。
這些應用示例展示了 BUK7528-55-VB 在中高功率應用中的關鍵作用,特別是在需要穩(wěn)定開關性能和低導通損耗的場景中。
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