--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
BUK752R7-30B-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于需要高效、高功率開關(guān)的應(yīng)用。BUK752R7-30B-VB 以其優(yōu)異的性能和可靠性,成為多種高功率電子電路的理想選擇。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: BUK752R7-30B-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **高效開關(guān)電源**:由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,BUK752R7-30B-VB 非常適合用于開關(guān)電源 (SMPS)。它可以顯著提高電源的轉(zhuǎn)換效率,減少功耗,適用于大功率電源應(yīng)用,如計(jì)算機(jī)電源和電信電源。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:這款 MOSFET 能夠處理高達(dá) 120A 的電流,非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,例如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和電動(dòng)工具。它能提供穩(wěn)定且高效的電流控制,確保系統(tǒng)的性能和可靠性。
3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,BUK752R7-30B-VB 的低導(dǎo)通電阻優(yōu)化了電池的充放電過程,提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性,特別適用于電動(dòng)汽車和儲能系統(tǒng)。
4. **光伏逆變器**:該 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于光伏逆變器的開關(guān)部分,能夠提高光伏系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。
5. **高功率開關(guān)應(yīng)用**:憑借其卓越的開關(guān)性能,BUK752R7-30B-VB 適用于各種高功率開關(guān)應(yīng)用,如大功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和高頻開關(guān)設(shè)備。它能夠減少功耗并提升系統(tǒng)性能,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛