chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BUK7608-55A-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK7608-55A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK7608-55A-VB 產(chǎn)品簡介

#### 產(chǎn)品介紹
BUK7608-55A-VB 是一款高性能 N-channel MOSFET,專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。封裝為 TO263,單 N-channel 配置,具有 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS)。該 MOSFET 的門檻電壓 (Vth) 為 3V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 4mΩ (VGS = 10V),并且最大持續(xù)漏電流 (ID) 為 150A。采用 Trench 技術(shù),BUK7608-55A-VB 提供了卓越的開關(guān)性能和優(yōu)異的電源管理能力。

#### 詳細(xì)參數(shù)
- **封裝:** TO263
- **配置:** 單 N-channel
- **漏源電壓 (VDS):** 60V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **門檻電壓 (Vth):** 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 4mΩ @ VGS = 10V
- **持續(xù)漏電流 (ID):** 150A
- **技術(shù):** Trench

#### 應(yīng)用示例
1. **高功率開關(guān):**
  BUK7608-55A-VB 非常適合用于高功率開關(guān)應(yīng)用,如電源開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換器。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地控制大功率電源,減少能量損耗,提高系統(tǒng)整體效率。

2. **電動汽車:**
  在電動汽車的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電動機(jī)驅(qū)動電路中,BUK7608-55A-VB 能夠處理高電流,確保電池和電動機(jī)的穩(wěn)定和高效運(yùn)行。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻對于提升系統(tǒng)的能效和可靠性至關(guān)重要。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動:**
  在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,BUK7608-55A-VB 可以用于控制和驅(qū)動高功率電動機(jī)。其優(yōu)越的開關(guān)性能和高電流承受能力使其能夠滿足各種工業(yè)設(shè)備的需求,確保電機(jī)的高效運(yùn)行。

4. **逆變器:**
  BUK7608-55A-VB 適用于逆變器電路,包括太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)。其高電壓和高電流能力使其在功率轉(zhuǎn)換過程中表現(xiàn)出色,保證了逆變器的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。

總體而言,BUK7608-55A-VB MOSFET 是一個(gè)高性能的 N-channel 組件,適用于各種高電流和高電壓的應(yīng)用,提供了卓越的電源管理和開關(guān)性能。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    502瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    422瀏覽量