### 產(chǎn)品簡介
BUK761R4-30E-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用TO263封裝。該器件具有30V的漏源電壓（VDS）、±20V的柵源電壓（VGS）和1.7V的閾值電壓（Vth）。在VGS為4.5V時(shí)，其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為1.6mΩ，在VGS為10V時(shí)為1.4mΩ，并支持高達(dá)260A的連續(xù)漏極電流（ID）。BUK761R4-30E-VB采用先進(jìn)的Trench技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通損耗和出色的開關(guān)性能，非常適合用于高電流、高效率的應(yīng)用場景。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: BUK761R4-30E-VB
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單N溝道（Single-N-Channel）
- **漏源電壓（VDS）**: 30V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**:
- 1.6mΩ @ VGS=4.5V
- 1.4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**: 260A
- **技術(shù)**: Trench
### 適用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理**
BUK761R4-30E-VB的高電流處理能力和超低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于電源管理模塊。例如，在高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)中，這款MOSFET能夠提供極低的功率損耗和高效率，適應(yīng)各種高功率應(yīng)用需求。
2. **電動汽車**
在電動汽車的動力系統(tǒng)中，BUK761R4-30E-VB能夠處理高電流并維持低導(dǎo)通損耗。這使其成為電池管理系統(tǒng)（BMS）、電動驅(qū)動系統(tǒng)以及快速充電模塊中的理想選擇，確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和可靠性。
3. **工業(yè)電機(jī)控制**
該MOSFET也非常適合用于工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用，包括電機(jī)驅(qū)動器和伺服控制系統(tǒng)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能確保電機(jī)在高負(fù)載條件下高效運(yùn)行，同時(shí)提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
4. **高功率LED驅(qū)動器**
在高功率LED照明應(yīng)用中，BUK761R4-30E-VB能夠有效控制大電流，從而提高LED的亮度和效率。其低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗，確保LED燈具在長時(shí)間運(yùn)行中的穩(wěn)定性。
這些應(yīng)用示例展示了BUK761R4-30E-VB在高電流和高效率要求的場合中的廣泛適用性，其卓越的電氣特性使其在各種關(guān)鍵應(yīng)用中都能提供優(yōu)異的性能。
