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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK761R6-40E-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號(hào): BUK761R6-40E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK761R6-40E-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

#### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
BUK761R6-40E-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-263。該 MOSFET 專為高電流和中等電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),能夠承受最大 40V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。其門限電壓(Vth)為 3V,在 VGS = 4.5V 時(shí),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2.5mΩ,而在 VGS = 10V 時(shí),導(dǎo)通電阻降至 2mΩ,支持的連續(xù)漏極電流(ID)最高可達(dá) 150A。該器件采用 Trench 技術(shù),提供高效的電力開關(guān)解決方案。

#### 詳細(xì)參數(shù):
- **封裝形式**:TO-263
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:40V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **門限電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:150A
- **技術(shù)**:Trench

#### 應(yīng)用實(shí)例:

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
  BUK761R6-40E-VB 適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。尤其適合在高電流需求的轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,特別是高電流電機(jī)控制中,BUK761R6-40E-VB 提供了穩(wěn)定的開關(guān)性能。其高電流承載能力確保電機(jī)在高負(fù)載下的可靠運(yùn)行。

3. **電源管理系統(tǒng)**:
  該 MOSFET 可以應(yīng)用于電源管理系統(tǒng),如電源開關(guān)和負(fù)載開關(guān)。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高電流能力有助于提高系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

4. **大功率 LED 驅(qū)動(dòng)器**:
  在大功率 LED 驅(qū)動(dòng)器中,BUK761R6-40E-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力可以提高系統(tǒng)的效率和性能,確保穩(wěn)定的 LED 照明效果。

5. **電池管理系統(tǒng)**:
  該 MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中尤其適用于電動(dòng)汽車電池組,其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于高效管理電池的充電和放電過(guò)程。

6. **功率開關(guān)應(yīng)用**:
  在各種功率開關(guān)應(yīng)用中,BUK761R6-40E-VB 提供了高效的開關(guān)能力和高電流處理性能,適合用于高功率電力管理和控制系統(tǒng)。

通過(guò)利用 BUK761R6-40E-VB MOSFET 的出色開關(guān)性能和高電流承載能力,可以在多個(gè)高電流和中等電壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電力控制和管理。

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