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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK761R8-30C-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號(hào): BUK761R8-30C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2.3mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK761R8-30C-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BUK761R8-30C-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,封裝類(lèi)型為 TO263。該 MOSFET 采用了 Trench 技術(shù),具有最大漏極-源極電壓(VDS)為 30V 和最大柵極-源極電壓(VGS)為 ±20V。其閾值電壓(Vth)為 1.7V。在柵源電壓為 4.5V 時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 3.2mΩ,而在柵源電壓為 10V 時(shí),RDS(ON) 降至 2.3mΩ。BUK761R8-30C-VB 能夠承載最高 150A 的連續(xù)漏極電流(ID)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO263
- **配置**: 單 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.2mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.3mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域示例

1. **高效電源開(kāi)關(guān)**:
  - BUK761R8-30C-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高效電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。它適用于開(kāi)關(guān)電源模塊,能夠高效地處理電源開(kāi)關(guān),減少功率損耗,提高電源系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動(dòng)汽車(chē) (EV) 電池管理**:
  - 在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)中,BUK761R8-30C-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻非常適合用作電池開(kāi)關(guān)元件。它能夠確保電池的高效管理和電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  - 對(duì)于高電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),BUK761R8-30C-VB 是一個(gè)理想的選擇。它可以在電機(jī)控制器中用作開(kāi)關(guān),確保電機(jī)的高效控制和穩(wěn)定運(yùn)行,適用于需要大電流和低電阻的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

4. **高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)**:
  - 在高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,BUK761R8-30C-VB 的高電流承載能力(150A)和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效控制大電流負(fù)載。它可以確保負(fù)載的可靠開(kāi)關(guān)和穩(wěn)定運(yùn)行,適用于各種高功率開(kāi)關(guān)需求。

5. **逆變器**:
  - 在逆變器應(yīng)用中,特別是用于太陽(yáng)能和風(fēng)能系統(tǒng)的逆變器,BUK761R8-30C-VB 能夠高效地處理高電流,提升直流到交流的轉(zhuǎn)換效率。其低導(dǎo)通電阻有助于提高逆變器的整體性能和穩(wěn)定性。

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