chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

BUK7623-75A-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK7623-75A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK7623-75A-VB 產(chǎn)品概述

BUK7623-75A-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO263 封裝。該器件設(shè)計用于處理高電流和高功率應(yīng)用,具有 80V 的漏源電壓 (VDS)、±20V 的柵源電壓 (VGS) 容差和 3V 的閾值電壓 (Vth)。它使用 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的電流處理能力,適合各種高功率和高效率應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO263
- **配置**: 單級 N 型
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 6mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用舉例

1. **電源開關(guān)**: BUK7623-75A-VB 非常適合用于高功率電源開關(guān)應(yīng)用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 電源適配器。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保了高效的電源轉(zhuǎn)換,減少功率損耗,提高了系統(tǒng)的整體效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**: 在電動工具、工業(yè)自動化設(shè)備和電動汽車等電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,BUK7623-75A-VB 提供了強(qiáng)大的電流處理能力和穩(wěn)定的開關(guān)性能,能夠有效控制高電流負(fù)載,滿足高功率需求。

3. **負(fù)載開關(guān)**: 在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,如數(shù)據(jù)中心電源和電池供電設(shè)備,BUK7623-75A-VB 能夠高效地處理和切換大電流負(fù)載,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **逆變器和不間斷電源 (UPS)**: BUK7623-75A-VB 適用于逆變器和 UPS 系統(tǒng),能夠穩(wěn)定地處理高功率負(fù)載。其優(yōu)良的熱管理和低導(dǎo)通電阻性能提高了系統(tǒng)的整體效率和可靠性,確保在電源轉(zhuǎn)換過程中保持高效運(yùn)行。

5. **高功率音頻放大器**: 在高功率音頻放大器應(yīng)用中,BUK7623-75A-VB 提供了穩(wěn)定的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,有助于減少信號失真和熱量生成,實(shí)現(xiàn)清晰的音頻輸出。

這些應(yīng)用示例展示了 BUK7623-75A-VB 在各種高功率和高效率領(lǐng)域中的廣泛適用性,體現(xiàn)了其在現(xiàn)代電子設(shè)計中的重要作用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    68瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    49瀏覽量