--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 32mΩ@VGS=10V
- ID 50A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品概述:BUK7628-55A-VB
BUK7628-55A-VB 是一款高性能單極N溝MOSFET,采用TO263封裝,專為中高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET具備60V的漏源電壓(V_DS)和20V(±V)的柵源電壓(V_GS),閾值電壓(V_th)為1.7V,導(dǎo)通電阻(R_DS(on))為35mΩ @ V_GS = 4.5V 和32mΩ @ V_GS = 10V,最大連續(xù)漏極電流(I_D)為50A。MOSFET采用Trench技術(shù),提供卓越的開關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗,適合高效能電源和電流控制應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **漏源電壓 (V_DS):** 60V
- 漏極和源極之間可以承受的最大電壓。
- **柵源電壓 (V_GS):** 20V(±V)
- 柵極和源極之間可以施加的最大電壓。
- **閾值電壓 (V_th):** 1.7V
- 開啟MOSFET所需的最小柵源電壓。
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)):** 35mΩ @ V_GS = 4.5V
- 當(dāng)MOSFET處于“開啟”狀態(tài)時,漏極和源極之間的電阻,測量柵源電壓為4.5V時的值。
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)):** 32mΩ @ V_GS = 10V
- 當(dāng)MOSFET處于“開啟”狀態(tài)時,漏極和源極之間的電阻,測量柵源電壓為10V時的值。
- **連續(xù)漏極電流 (I_D):** 50A
- 當(dāng)設(shè)備得到適當(dāng)散熱時,漏極端可以流過的最大連續(xù)電流。
- **封裝類型:** TO263
- MOSFET的物理封裝,提供良好的散熱性能和機械強度。
- **配置:** 單極N溝
- 表示該MOSFET具有單個N溝道用于導(dǎo)電。
- **技術(shù):** Trench
- 表示MOSFET采用Trench技術(shù)制造,提供優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗。
### 應(yīng)用示例
**1. 高效電源轉(zhuǎn)換器:**
- BUK7628-55A-VB MOSFET 可以用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)模式電源(SMPS)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于電源模塊,確保高效能和穩(wěn)定的電源輸出。
**2. 電動機驅(qū)動:**
- 在電動機驅(qū)動系統(tǒng)中,BUK7628-55A-VB 能夠處理高電流并提供低功耗特性,適用于電動汽車、電動工具和工業(yè)電動機驅(qū)動等應(yīng)用,確保系統(tǒng)的高效和可靠性。
**3. 逆變器:**
- 該MOSFET 在逆變器應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是用于太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器。其高電流和低導(dǎo)通電阻特性有助于高效的能量轉(zhuǎn)換和電力調(diào)節(jié)。
**4. 電池管理系統(tǒng):**
- 在電池管理系統(tǒng)中,BUK7628-55A-VB 可以用作高效的電池開關(guān),控制電池充電和放電路徑。其高電流處理能力和低功耗特性確保了電池管理的高效能和安全性。
**5. 汽車電子:**
- 該MOSFET 適用于汽車電子應(yīng)用,如電動轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電源分配系統(tǒng)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了汽車電子系統(tǒng)的高效運行和耐用性。
通過將BUK7628-55A-VB MOSFET 應(yīng)用于這些領(lǐng)域,設(shè)計師可以實現(xiàn)高效、可靠的性能,滿足高電流和低導(dǎo)通電阻的要求,使其成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中的理想選擇。
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