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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK762R0-40C-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號(hào): BUK762R0-40C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 1.4mΩ@VGS=10V
  • ID 280A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK762R0-40C-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BUK762R0-40C-VB 是一款高性能單 N 通道功率 MOSFET,封裝在 TO263 封裝中,設(shè)計(jì)用于高電流和高效能的應(yīng)用。該 MOSFET 的 VDS(漏源電壓)為 40V,VGS(柵源電壓)范圍為 ±20V,能夠在中等電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行。其閾值電壓(Vth)為 3V,確保在較低柵電壓下也能可靠地導(dǎo)通。BUK762R0-40C-VB 的 RDS(ON) 為 1.68mΩ @ VGS=4.5V 和 1.4mΩ @ VGS=10V,支持最大連續(xù)漏電流(ID)為 280A。該器件采用 Trench 技術(shù),提供超低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能,適合用于高功率和高效能的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **封裝:** TO263
2. **配置:** 單N通道
3. **VDS(漏源電壓):** 40V
4. **VGS(柵源電壓):** ±20V
5. **Vth(閾值電壓):** 3V
6. **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):**
  - 1.68mΩ @ VGS=4.5V
  - 1.4mΩ @ VGS=10V
7. **ID(連續(xù)漏電流):** 280A
8. **技術(shù):** Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和使用場(chǎng)景

BUK762R0-40C-VB MOSFET 由于其超低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理:** 適用于高功率開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)和服務(wù)器電源,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和低功耗,滿足大功率電源需求。
2. **電動(dòng)汽車(chē):** 在電動(dòng)汽車(chē)(EV)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中使用,處理高電流并確保高效的電力傳輸,提高電動(dòng)汽車(chē)的整體性能和續(xù)航能力。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 在工業(yè)和消費(fèi)電子中的電機(jī)控制應(yīng)用中,支持大功率電機(jī)的精確控制和調(diào)節(jié),提高系統(tǒng)效率和可靠性。
4. **電池管理:** 在電池管理系統(tǒng)中,用于高電流電池的充放電控制,確保電池的安全性和長(zhǎng)壽命,特別適合高功率電池組。
5. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器:** 在高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中使用,提供穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換,適合用于高效能電源解決方案。
6. **負(fù)載開(kāi)關(guān):** 在高電流負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供可靠的開(kāi)關(guān)性能,適合用于工業(yè)設(shè)備、計(jì)算機(jī)硬件以及其他高功率應(yīng)用。

這些示例展示了 BUK762R0-40C-VB MOSFET 的多用途和在高電流、高效率應(yīng)用中的可靠性,使其在各種要求高功率、高效能的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

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