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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BUK762R4-60E-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK762R4-60E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=10V
  • ID 270A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

BUK762R4-60E-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。該器件具有60V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)和3V的閾值電壓(Vth)。在VGS為4.5V時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為7mΩ,在VGS為10V時(shí)為2.5mΩ,并支持高達(dá)270A的連續(xù)漏極電流(ID)。BUK762R4-60E-VB采用先進(jìn)的Trench技術(shù),具有極低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的開關(guān)性能,適用于要求高電流和高效率的各種應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: BUK762R4-60E-VB
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**: 60V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 7mΩ @ VGS=4.5V
 - 2.5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 270A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高功率電源管理**
  BUK762R4-60E-VB非常適合用于高功率電源管理模塊。例如,在高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)中,它能夠處理高電流負(fù)載并提供低功耗運(yùn)行。其低導(dǎo)通電阻確保了高效率的功率轉(zhuǎn)換,并減少了能量損耗。

2. **電動汽車**
  在電動汽車的電源系統(tǒng)和驅(qū)動系統(tǒng)中,BUK762R4-60E-VB能夠支持高達(dá)270A的電流,并且在高負(fù)載條件下保持低導(dǎo)通損耗。它非常適用于電池管理系統(tǒng)(BMS)、電動馬達(dá)驅(qū)動和快速充電模塊,提供穩(wěn)定和高效的電流控制。

3. **工業(yè)電機(jī)控制**
  該MOSFET的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動器和伺服控制系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中,它能夠處理高電流負(fù)載并提供穩(wěn)定的電流輸出,提升設(shè)備的可靠性和性能。

4. **高功率LED照明**
  BUK762R4-60E-VB也適用于高功率LED驅(qū)動器。在LED照明應(yīng)用中,它能夠高效地控制大電流,從而提升LED的亮度和整體能效。其低導(dǎo)通電阻幫助減少功率損耗,延長LED的使用壽命,并提供穩(wěn)定的照明效果。

這些應(yīng)用示例展示了BUK762R4-60E-VB在高電流和高效率需求場合中的廣泛適用性,其優(yōu)異的電氣特性使其成為各種關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇。

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