--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 150A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### BUK761R6-40E-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
#### 產(chǎn)品簡介:
BUK761R6-40E-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-263。該 MOSFET 專為高電流和中等電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),能夠承受最大 40V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。其門限電壓(Vth)為 3V,在 VGS = 4.5V 時(shí),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2.5mΩ,而在 VGS = 10V 時(shí),導(dǎo)通電阻降至 2mΩ,支持的連續(xù)漏極電流(ID)最高可達(dá) 150A。該器件采用 Trench 技術(shù),提供高效的電力開關(guān)解決方案。
#### 詳細(xì)參數(shù):
- **封裝形式**:TO-263
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:40V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **門限電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:150A
- **技術(shù)**:Trench
#### 應(yīng)用實(shí)例:
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
BUK761R6-40E-VB 適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。尤其適合在高電流需求的轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用。
2. **電機(jī)驅(qū)動**:
在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,特別是高電流電機(jī)控制中,BUK761R6-40E-VB 提供了穩(wěn)定的開關(guān)性能。其高電流承載能力確保電機(jī)在高負(fù)載下的可靠運(yùn)行。
3. **電源管理系統(tǒng)**:
該 MOSFET 可以應(yīng)用于電源管理系統(tǒng),如電源開關(guān)和負(fù)載開關(guān)。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高電流能力有助于提高系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。
4. **大功率 LED 驅(qū)動器**:
在大功率 LED 驅(qū)動器中,BUK761R6-40E-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力可以提高系統(tǒng)的效率和性能,確保穩(wěn)定的 LED 照明效果。
5. **電池管理系統(tǒng)**:
該 MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中尤其適用于電動汽車電池組,其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于高效管理電池的充電和放電過程。
6. **功率開關(guān)應(yīng)用**:
在各種功率開關(guān)應(yīng)用中,BUK761R6-40E-VB 提供了高效的開關(guān)能力和高電流處理性能,適合用于高功率電力管理和控制系統(tǒng)。
通過利用 BUK761R6-40E-VB MOSFET 的出色開關(guān)性能和高電流承載能力,可以在多個(gè)高電流和中等電壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電力控制和管理。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛