--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23
- 溝道 N—Channel
- 電壓 60V
- 電流 4A
- RDS(ON) 85mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- Vth 1~3V
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**2SK1848-VB**
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
- 封裝:SOT23
- 溝道類(lèi)型:N—Channel
- 最大承受電壓:60V
- 額定電流:4A
- 導(dǎo)通電阻 \(R_{DS(ON)}\):85mΩ @ V_{GS}=10V, V_{GS}=20V
- 閾值電壓 \(V_{th}\):1~3V
- **封裝:** SOT23
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
2SK1848-VB 是一款 N-溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,適用于 SOT23 封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:
1. **最大承受電壓 \(V_{DS}\):** 60V
2. **額定電流 \(I_D\):** 4A
3. **導(dǎo)通電阻 \(R_{DS(ON)}\):** 85mΩ @ V_{GS}=10V, V_{GS}=20V
4. **閾值電壓 \(V_{th}\):** 1~3V
**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
適用于需要中等電壓、較高電流的應(yīng)用場(chǎng)合,例如:
1. **電源開(kāi)關(guān)模塊:** 由于其中等電壓和較低的導(dǎo)通電阻,適合用于設(shè)計(jì)電源開(kāi)關(guān)模塊,提供高效能的電源開(kāi)關(guān)。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:** 作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的輸出級(jí)別,提供可靠的功率放大。
3. **LED 照明:** 用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,確保高效且穩(wěn)定的電流輸出。
**示例應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:**
1. **消費(fèi)電子:** 適用于各類(lèi)電源管理模塊,如筆記本電腦充電器。
2. **工業(yè)控制:** 在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)中,用于提供可靠的功率輸出。
3. **照明控制:** 在 LED 照明系統(tǒng)中,用于電流調(diào)節(jié)和功率管理。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛