**型號：** AAT8303ITS-T1-VB
**品牌：** VBsemi
**參數(shù)：**
- **溝道類型：** P—Channel
- **最大電壓：** -30V
- **最大電流：** -11A
- **導通電阻：** RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓：** Vth = -1.42V
**封裝：** SOP8
**詳細參數(shù)說明：**
AAT8303ITS-T1-VB是一款P—Channel溝道功率MOSFET，具備卓越的性能參數(shù)。最大電壓可達-30V，最大電流達到-11A。在VGS=10V和VGS=20V時，導通電阻（RDS(ON)）均為10mΩ，表現(xiàn)出優(yōu)秀的導通特性。閾值電壓Vth為-1.42V，具有在低電壓條件下靈敏觸發(fā)的特性。
**應用簡介：**
AAT8303ITS-T1-VB適用于多個領域，主要包括但不限于：
1. **電源管理模塊：** 具有低導通電阻和高電流能力，適用于設計高性能電源管理模塊。
2. **電動汽車控制器：** 在電動汽車電子系統(tǒng)中，可以應用于電機控制器模塊，提供可靠的功率開關。
3. **無線通信設備：** 作為無線通信設備的電源開關器件，可提供高效的電能轉換。
**舉例說明：**
AAT8303ITS-T1-VB可以廣泛應用于無線充電模塊，用于控制充電過程中的功率開關。其高電流能力和低導通電阻使其成為無線充電模塊中的理想選擇，提供高效、可靠的充電效果。
