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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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ACE2341BM+H-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): ACE2341BM+H-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23
  • 溝道 P—Channel
  • 電壓 -30V
  • 電流 -5.6A
  • RDS(ON) 47mΩ@VGS=10V,VGS=20V
  • Vth -1V

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**ACE2341BM+H-VB**

- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - 封裝類型:SOT23
 - 溝道類型:P—Channel
 - 最大承受電壓:-30V
 - 最大漏極電流:-5.6A
 - 開(kāi)態(tài)電阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth):-1V

- **應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
 ACE2341BM+H-VB 是一款 P—Channel 溝道功率 MOSFET,采用 SOT23 封裝。具有低開(kāi)態(tài)電阻和適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用的特性。

- **詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
 1. **封裝類型(Package Type):** SOT23,這是一種小型表面貼裝封裝,適合密集的電路板設(shè)計(jì)。
 2. **溝道類型(Channel Type):** P—Channel,表示這是一款 P 溝道型 MOSFET。
 3. **最大承受電壓(Maximum Drain-Source Voltage):** -30V,這是該器件可承受的最大漏極電壓。
 4. **最大漏極電流(Maximum Drain Current):** -5.6A,表示最大可通過(guò)的漏極電流。
 5. **開(kāi)態(tài)電阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,表示在給定的柵源電壓下,開(kāi)態(tài)電阻的最大值。
 6. **閾值電壓(Threshold Voltage):** -1V,是器件開(kāi)始導(dǎo)通的柵源電壓。

- **應(yīng)用領(lǐng)域:**
 1. **負(fù)載開(kāi)關(guān)(Load Switching):** 適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)電路,提供可靠的開(kāi)關(guān)控制,例如電源管理單元(PMU)的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
 2. **功率管理模塊(Power Management Modules):** 用于構(gòu)建功率管理模塊,如電源開(kāi)關(guān)和電流控制器。

- **模塊應(yīng)用舉例:**
 1. **電源開(kāi)關(guān)模塊:** ACE2341BM+H-VB 可用于設(shè)計(jì)電源開(kāi)關(guān)模塊,廣泛應(yīng)用于便攜設(shè)備和電源管理系統(tǒng)。
 2. **電源管理單元(PMU):** 作為 PMU 的一部分,用于控制電源的開(kāi)關(guān),提供高效的功耗管理。

請(qǐng)注意,以上信息僅為對(duì)給定參數(shù)的一般解釋和應(yīng)用建議,具體設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮電路需求和系統(tǒng)規(guī)格。

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