--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23
- 溝道 P—Channel
- 電壓 -30V
- 電流 -5.6A
- RDS(ON) 47mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- Vth -1V
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP2309AGN-VB
型號(hào):AP2309AGN-VB
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 封裝類型:SOT23
- 溝道類型:P—Channel
- 額定電壓:-30V
- 額定電流:-5.6A
- RDS(ON):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=-1V
應(yīng)用簡(jiǎn)介:
AP2309AGN-VB是一款SOT23封裝的P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有低導(dǎo)通電阻和適用于負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用的特性。
詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
1. **封裝類型:** SOT23
2. **溝道類型:** P—Channel
3. **額定電壓:** -30V
4. **額定電流:** -5.6A
5. **導(dǎo)通電阻:** RDS(ON)=47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
6. **閾值電壓:** Vth=-1V
領(lǐng)域和模塊應(yīng)用:
AP2309AGN-VB適用于需要P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的各種電子設(shè)備和模塊,特別是在低電壓和低功耗要求的領(lǐng)域。以下是一些可能的應(yīng)用場(chǎng)景:
1. **負(fù)載開關(guān):** 由于其低導(dǎo)通電阻和P—Channel設(shè)計(jì),適用于負(fù)載開關(guān)電路,可用于控制電路中的負(fù)載。
2. **電源管理:** 在電源管理模塊中,特別是需要P—Channel MOSFET的場(chǎng)合,例如低電壓斷路器和電源開關(guān)。
請(qǐng)注意,具體的應(yīng)用和模塊選擇可能根據(jù)具體設(shè)計(jì)需求和電路要求而變化。建議在使用前查閱產(chǎn)品手冊(cè)和規(guī)格書以確保正確的應(yīng)用和操作。
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