chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

AP2315GEN-HF-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): AP2315GEN-HF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23
  • 溝道 P—Channel
  • 電壓 -30V
  • 電流 -5.6A
  • RDS(ON) 47mΩ@VGS=10V,VGS=20V
  • Vth -1V

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):AP2315GEN-HF-VB

品牌:VBsemi

參數(shù):
- 封裝:SOT23
- 溝道類型:P—Channel
- 額定電壓:-30V
- 最大電流:-5.6A
- 靜態(tài)開(kāi)態(tài)電阻 (RDS(ON)):47mΩ (在VGS=10V, VGS=20V時(shí))
- 閾值電壓 (Vth):-1V

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
1. **溝道類型:** P-Channel溝道,適用于P-Channel MOSFET,負(fù)責(zé)電流流經(jīng)溝道的部分。
2. **額定電壓:** -30V,表示MOSFET在正常工作條件下的最大電壓。
3. **最大電流:** -5.6A,表示MOSFET能夠承受的最大電流。
4. **靜態(tài)開(kāi)態(tài)電阻 (RDS(ON)):** 47mΩ,表示MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。
5. **閾值電壓 (Vth):** -1V,表示MOSFET從關(guān)閉到開(kāi)啟的電壓閾值。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
AP2315GEN-HF-VB是一款P-Channel MOSFET,適用于需要進(jìn)行功率開(kāi)關(guān)的電路,具有適中的額定電壓和電流承受能力。

**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源管理:** 用于電源開(kāi)關(guān)模塊,例如直流-直流轉(zhuǎn)換器 (DC-DC Converter)。
2. **電流控制:** 適用于需要電流控制的電路,如電流源。
3. **電池管理:** 在電池充電和放電控制電路中的應(yīng)用,確保有效的電池管理。
4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 作為電機(jī)控制電路中的功率開(kāi)關(guān)器件。

**模塊應(yīng)用:**
1. **電源模塊:** 用于直流電源開(kāi)關(guān)模塊,確保有效的電源管理。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊:** 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中作為功率開(kāi)關(guān)器件,控制電機(jī)的啟停和速度。
3. **電池管理模塊:** 用于充電和放電控制模塊,確保電池的安全和高效使用。

總體而言,AP2315GEN-HF-VB適用于多種功率電子應(yīng)用,具有適中的性能參數(shù),可用于需要P-Channel MOSFET的各種電路設(shè)計(jì)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    69瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    49瀏覽量