型號(hào): AP2315GEN-VB
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 封裝: SOT23
- 溝道類型: P-Channel
- 額定溝道電壓(VDS): -30V
- 額定溝道電流(ID): -5.6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 門源極閾值電壓(Vth): -1V
封裝: SOT23
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**
1. **溝道類型：** P-Channel 溝道類型表示這是一款 P-Channel MOSFET，適用于需要 P-Channel 特性的電路設(shè)計(jì)。
2. **額定溝道電壓：** -30V 表示這款 MOSFET 的額定工作電壓為 -30V，適用于相應(yīng)的電源電壓范圍。
3. **額定溝道電流：** -5.6A 表示這款 MOSFET 的最大額定工作電流為 -5.6A，適用于負(fù)載電流需求較高的電路。
4. **靜態(tài)漏極-源極電阻：** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V 表示在不同的門源電壓下，靜態(tài)時(shí)的漏極-源極電阻。這對(duì)于評(píng)估導(dǎo)通狀態(tài)下的導(dǎo)通損耗很重要。
5. **門源極閾值電壓：** -1V 表示在理想條件下，當(dāng)門源電壓達(dá)到 -1V 時(shí)，MOSFET 開(kāi)始導(dǎo)通。
**應(yīng)用簡(jiǎn)介：**
這款 MOSFET 通常應(yīng)用于需要 P-Channel 溝道的電路中，其中可能包括功率開(kāi)關(guān)、電源管理、放大器等。由于其負(fù)載電流較大的特性，可以在需要承載較大電流的電源和電路中使用。
**領(lǐng)域和模塊應(yīng)用：**
1. **電源管理模塊：** 由于其較大的負(fù)載電流和適中的工作電壓范圍，適用于電源管理模塊中的功率開(kāi)關(guān)電路。
2. **功率放大模塊：** 用于音頻功率放大器等模塊，通過(guò)控制 MOSFET 的導(dǎo)通狀態(tài)來(lái)調(diào)節(jié)功率。
3. **電源逆變器：** 在電源逆變器中，用于控制開(kāi)關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)從直流到交流的能量轉(zhuǎn)換。
請(qǐng)注意，具體的應(yīng)用和模塊設(shè)計(jì)需要根據(jù)具體的電路需求和規(guī)格進(jìn)行進(jìn)一步確認(rèn)。
